SSD накопитель M.2 2280 120GB Transcend (TS120GMTS820S)

Описание SSD накопитель M.2 2280 120GB Transcend (TS120GMTS820S)

Оснащенный интерфейсом PCI Express Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe, твердотельный накопитель в форм-факторе M.2 Transcend MTE820 демонстрирует выдающуюся производительность.

Твердотельный накопитель MTE820 предназначен для оснащения высокопроизводительных систем, использующихся для задач, которые требуют максимального уровня готовности и не допускают малейших задержек — рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений.

Построенные на базе флэш-памяти 3D TLC NAND, твердотельные накопители MTE820 M.2 не только обеспечивают высокую скорость передачи данных, но также демонстрируют высочайший уровень надежности.

Отличный уровень производительности для наиболее требовательных решений
Твердотельные накопители Transcend MTE820 выполнены в форм-факторе M.2, оснащены интерфейсом PCIe Gen3 x4 и соответствуют всем требованиям стандарта NVMe 1.2 и для одновременной передачи и приема данных используются четыре линии, что суммарно обеспечивает пропускную способность до 1370 МБ/с при чтении и 830 МБ/с при записи.

Что такое интерфейс PCIe
Интерфейс PCIe (или PCI Express) используется для соединения хост-компьютера с твердотельными накопителями. Данный интерфейс использует одну или более линий, по каждой из которых осуществляются передача и прием данных, и отличается от SATA (или Serial ATA) значительно более высокой производительностью, что позволяет ему в лучшей степени соответствовать требованиям современных высокоскоростных систем и устройств.

Что такое стандарт NVMe
NVMe (или NVM Express) — это интерфейс хост-контроллера, созданный для использования в корпоративных и клиентских системах, которые оснащены твердотельными накопителями с интерфейсами PCI Express. Стандарт NVMe подразумевает более высокий уровень производительности, чем AHCI (Advanced Host Controller Interface), в том числе, он содержит требования относительно масштабирования пропускной способности, большего количества операций ввода/вывода в секунду и минимизации задержек.

3D-технологии раздвигают пределы возможного
В отличие от прежних, плоских по своей структуре микросхем NAND, ячейки флэш-чипов 3D NAND располагаются в нескольких плоскостях и могут находиться одна над другой. Технология 3D NAND призвана преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флэш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности этого типа памяти.